通过激光诱导、、深硅刻蚀实现基于玻璃基的信号转接，利用重布线层（RDL）和微凸点工艺，实现110GHz以上布线带宽，显著提升了信号传输效能和密度；匹配主流四通道硅光调制芯片、、电驱动芯片和跨阻放大器芯片，实现4通道尺度化规划，同时兼容主流硅光芯片与电芯片的管脚界说，实现光电混合封装的高度集成化；片上可集成激光直写光波导与interposer内开槽，实现低损耗高密度的光路扇入扇出。